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半導体における光の取り出し量の計算

タイトルのように、半導体における光の取り出し量の計算方法がわかりません。
たとえば参考URLのページにはGaNからの光の取り出せる量は全体の4%程度と書いてありますが、これは臨界角𝜽=𝐬𝐢𝐧^(-𝟏)(𝒏_𝒂𝒊𝒓∕𝒏_𝑮𝒂𝑵 )=23°からなどから計算できるのでしょうか?
ネットで調べたところ、立体角などを考慮するようですが…
具体的な計算式などを教えていただけたら助かります。

参考URL
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2010/pr20100318/pr20100318.html

投稿日時 - 2015-01-15 06:58:16

QNo.8891990

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回答(1)

ANo.1

http://be.nucl.ap.titech.ac.jp/~koba/cgi-bin/moin.cgi/%E7%AB%8B%E4%BD%93%E8%A7%92
の「円板を見込む立体角」にある式を使うだけでしょう。

投稿日時 - 2015-01-23 18:41:26

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