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解決済みの質問

SiCのバンドギャップについて

こんにちは、
次世代パワー半導体であるSiCは、従来のSiに対して、バンドギャップが3倍であると言われております。バンドギャップが大きいと、どのような利点があるのでしょうか?また、短所はないのでしょうか?

投稿日時 - 2012-06-07 20:04:25

QNo.7520107

困ってます

質問者が選んだベストアンサー

メリットとして、チップ内部での電界を大きくできるので高耐圧化しやすい。
デメリットは、PN接合やショットキーバリアでの順方向電圧降下が大きくなる。
というのがあるかと思います。

投稿日時 - 2012-06-08 10:16:16

お礼

お返事有難うございます。
解りました。

投稿日時 - 2012-06-08 22:59:56

ANo.1

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